金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，成都宏科电子科技有限公司申请一项名为“一种低啸叫多层瓷介电容器及其制备方法和一种封端工装”的专利，公开号CN120183909A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低啸叫多层瓷介电容器及其制备方法和一种封端工装，涉及洗电容器结构及其制备方法和封端技术领域，电容器包括正端电极、负端电极和内电极，所述内电极包括多个沿Z轴方向堆叠的内电极层；当有电流通过电容器时，电流的方向为水平X轴方向；当竖直方向为Y轴方向时，所述Z轴方向与所述X轴方向和Y轴方向垂直；内电极层的板间电致伸缩应力传递方向为XZ平面，所述正端电极与负端电极之间的电致伸缩应力传递方向为XY平面。本发明通过端电极改向，以达到无需硬件改动，不影响空间高度，不改变陶瓷材料的情况下将MLCC内部各个组成部分的电致伸缩应力分散导向的目的。
天眼查资料显示，成都宏科电子科技有限公司，成立于1999年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9670万人民币。通过天眼查大数据分析，成都宏科电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息231条，此外企业还拥有行政许可81个。
来源：金融界
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